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多光子非线性量子干涉首次实现 为新型量子态制备等应用奠定基础******

　　科技日报合肥1月16日电 (记者吴长锋)记者16日从中国科学技术大学获悉，该校郭光灿院士团队任希锋研究组与国外同行合作，基于光量子集成芯片，在国际上首次展示了四光子非线性产生过程的干涉。相关成果日前发表在光学权威学术期刊《光学》上。

　　量子干涉是众多量子应用的基础，特别是近年来基于路径不可区分性产生的非线性干涉过程越来越引起人们的关注。尽管双光子非线性干涉过程已经实现了20多年，并且在许多新兴量子技术中得到应用，直到2017年，人们才在理论上将该现象扩展到多光子过程，但实验上由于需要极高的相位稳定性和路径重合性，一直未获得新进展。光量子集成芯片，以其极高的相位稳定性和可重构性逐渐发展成为展示新型量子应用、开发新型量子器件的理想平台，也为多光子非线性干涉研究提供了实现的可能性。

　　任希锋研究组长期致力于硅基光量子集成芯片开发及相关应用研究并取得系列重要进展。在前工作基础上，研究组通过进一步将多光子量子光源模块、滤波模块和延时模块等结构片上级联，在国际上首次展示了四光子非线性产生过程的相干相长、相消过程，其四光子干涉可见度为0.78。而双光子符合并未观测到随相位的明显变化，这同理论预期一致。整个实验在一个尺寸仅为3.8×0.8平方毫米的硅基集成光子芯片上完成。

　　这一成果成功地将两光子非线性干涉过程扩展到多光子过程，为新型量子态制备、远程量子计量以及新的非局域多光子干涉效应观测等应用奠定了基础。审稿人一致认为这是一个重要的研究工作，并给出了高度评价：该芯片设计精良，包含多种集成光学元件，如纠缠光子源、干涉仪、频率滤波器/组合器；这项工作推动了集成光子量子信息科学与技术研究领域的发展。

《非物质文化遗产旅游景区认定》公开征求意见******

　　本报讯（记者 李志刚）全国旅游标准化技术委员会近日发布旅游行业标准《非物质文化遗产旅游景区认定》（征求意见稿），公开征求意见。编制该标准旨在推动落实以文塑旅、以旅彰文，引导非遗有机融入景区，打造一批非物质文化遗产旅游景区（以下简称“非遗旅游景区”），以丰富旅游景区文化内涵，加强非遗保护和传承，引导非遗与旅游高质量融合发展。

　　该标准由总体要求、认定内容、认定方法等部分组成。在总体要求方面，包括非遗项目的保护传承状况、旅游景区的等级要求、安全生产状况等，同时明确非遗旅游景区认定坚持真实性、融合性、传播传承、可持续发展的基本原则；在认定内容方面，包括非遗项目、空间场所、环境条件、产品业态、非遗商品、政策保障、运营管理7个方面；在认定方法方面，明确了认定机构、认定程序、认定方式、动态管理等。

　　据了解，非遗与旅游融合成为近年来各地旅游景区发展的新趋势，全国各地涌现出一批非遗特色旅游景区，如2022年，中国非物质文化遗产保护协会公布2022年全国非遗与旅游融合发展优选项目名录，非遗旅游景区、非遗旅游小镇、非遗旅游街区、非遗旅游村寨4个类型共200个项目入选，其中78个为非遗旅游景区融合发展优选项目。

　　（文图：赵筱尘 巫邓炎）